Módulo semiconductor IGCT de alta potencia ABB 3BHL000986P3016 5STP1752H0002
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Módulo semiconductor IGCT de alta potencia ABB 3BHL000986P3016 5STP1752H0002
ABB

Módulo semiconductor IGCT de alta potencia ABB 3BHL000986P3016 5STP1752H0002

SKU: 3BHL000986P3016
Categorías : ABB
En existencia
  • Dimensiones: 35 x 29 x 6.5 cm
  • País de origen: Sweden
  • Pago: T/T, Western Union
  • Puerto de embarque: Xiamen
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Descripción general del producto

El ABB 3BHL000986P3016, también designado por la referencia de ingeniería 5STP1752H0002, es un tiristor conmutado por puerta integrado (IGCT) de primera calidad diseñado para la conversión de energía electrónica de alta capacidad. Este módulo es un componente crítico para aplicaciones de media tensión, que combina la alta densidad de corriente de un tiristor con el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un transistor. Diseñado específicamente para esfuerzos eléctricos extremos, el 5STP1752H0002 ofrece un voltaje de bloqueo superior y una resistencia a las sobretensiones. Es un componente esencial para la infraestructura energética moderna, ya que proporciona la conmutación de alta eficiencia necesaria para la estabilización de la red eléctrica y el control de motores industriales a gran escala.

Propiedades electromecánicas y perfil térmico

  • Identificación del módulo 3BHL000986P3016 / 5STP1752H0002

  • Clasificación de voltaje de bloqueo 1700V

  • Capacidad de corriente nominal 2000A

  • Corriente de pico de sobretensión 20kA (pulso de 1ms)

  • Rendimiento de conmutación Optimizado para frecuencias de hasta 500Hz

  • Umbral de disparo de la puerta 1.5V a 2.5V

  • di/dt crítico 500A/μs

  • Resistencia térmica 0.02 K/W (unión a la caja)

  • Rango de temperatura de funcionamiento -40°C a +125°C

  • Masa del hardware 2.56 kg

  • Dimensiones de la carcasa 35 x 29 x 6.5 cm

  • Origen de fabricación Suecia

Utilidad estratégica para la red y la industria

El 3BHL000986P3016 5STP1752H0002 se utiliza en topologías de alta potencia donde la integridad de la señal y la gestión térmica son primordiales:

  • Transmisión HVDC Sirviendo como elemento de conmutación central en sistemas de corriente continua de alto voltaje para el transporte de energía a larga distancia.

  • Aplicaciones FACTS Implementación de sistemas de transmisión de CA flexibles para mejorar la fiabilidad de la red y la calidad de la energía a través de la compensación de potencia reactiva.

  • Accionamientos de media tensión Proporcionando control de motor de alto par en industrias pesadas como la minería, la producción de acero, y la propulsión marina.

  • Convertidores de energía renovable Facilitando la conversión de energía de alta eficiencia para instalaciones eólicas y solares a gran escala.

  • Protección Crowbar de la red Actuando como un bypass de seguridad de alta velocidad en turbinas eólicas para proteger la electrónica sensible durante las perturbaciones de la red.

P: ¿Cuál es la principal ventaja de la tecnología IGCT sobre los tiristores estándar?

R: El IGCT, como el 5STP1752H0002, permite velocidades de conmutación mucho más rápidas y pérdidas de conducción reducidas, lo que lo hace significativamente más eficiente para la conversión de energía de alta frecuencia en los sistemas DCS y de red modernos.

P: ¿Cómo afecta al rendimiento la resistencia térmica de 0,02 K/W?

R: Esta resistencia térmica excepcionalmente baja permite una rápida disipación de calor desde la unión de silicio a la carcasa, lo que permite que el módulo maneje enormes cargas de corriente sin exceder sus límites de temperatura operativa segura.

P: ¿Es este módulo adecuado para su uso en climas extremos?

R: Sí, con un rango de funcionamiento que se extiende de -40 °C a +125 °C, el 3BHL000986P3016 está diseñado para un rendimiento fiable tanto en estaciones de servicio bajo cero como en entornos de plantas industriales de alta temperatura.

P: ¿Cuál es la importancia de la clasificación de corriente de sobretensión de 20 kA?

R: Esta clasificación indica la capacidad del módulo para sobrevivir a picos eléctricos momentáneos y masivos (como los causados por fallas o cortocircuitos) durante un máximo de 1 milisegundo sin fallas de hardware, lo que garantiza la robustez del sistema.

P: ¿Se puede integrar este módulo IGCT en la plataforma Advant OCS 800xA?

R: Aunque el IGCT es un semiconductor de potencia, se utiliza con frecuencia en las etapas de conversión de potencia de los sistemas gestionados por la arquitectura 800xA, especialmente en grandes accionamientos de motor y controladores de estabilización de red.

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Garantía

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  • Garantía de 12 meses: Una garantía completa de un año cubre todos los defectos funcionales.
  • Autenticidad: Cada pieza está garantizada como 100% original, completamente nueva y auténtica.
  • Soporte experto: Asistencia técnica dedicada para verificar y resolver cualquier problema de hardware.
  • Tranquilidad: Soporte de fiabilidad a largo plazo para todas sus piezas de automatización de misión crítica.

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Pago seguro

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